金融界2025年1月31日音书，国度学问产权局信息败露CYL588.VIP，英特尔公司恳求一项名为“用于高档集成电路结构制造的有源栅极上方构兵结构”的专利，公开号CN119384040A，恳求日历为2018年10月。

专利提要败露，本公开的实际例属于高档集成电路结构制造的范围，彩娱乐app况兼具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的范围。在示例中，一种集成电路结构包括鳍状物之上的第一和第二栅极电介质层。第一和第二栅极电极分裂在第一和第二栅极电介质层之上，第一和第二栅极电极齐具有带顶名义的绝缘帽。第一电介质鉴识体与第一栅极电极的第一侧相邻。沟槽构兵结构在与第一和第二电介质鉴识体相邻的半导体源极或漏极区之上，沟槽构兵结构包括导电结构上的绝缘帽，沟槽构兵结构的绝缘帽具有与第一和第二栅极电极的绝缘帽大体上共面的顶名义。

本文源自：金融界

今天（12月21日）CYL588.VIP，香港驻京办在北京举办《2024爱上香港》新闻发布会。香港驻京办供图

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